Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

Search Result

Свернуть
29 результатов за 0.0039 секунд.
Ключевые слова
Участники
Метки
mosfet-транзисторы x

  • Промэлектроника: Высоковольтные транзисторы MOSFET Infineon семейства CoolMOS™

    Infineon Technologies — немецкая корпорация-производитель электроники появилась в 1999 году, отделившись от материнской Siemens. К сегодняшему дню Infineon стала одним из главных производителей электроники в Европе, а также стабильно входит в первые 50 производителей во всём мире. Одно из профильных направлений Infineon — высоковольтные и высокомощные MOSFET, IGBT и различные силовые модули.

    На склад "Промэлектроники" поступила очередная партия мощных одиночных N-канальных MOSFET от Infineon серий IPP, IPW. Подробные сведения и даташиты доступны в карточках товаров (в таблице ниже). Отметим, что все три модели относятся к семейству CoolMOS™, которое отличается низкими потерями на переключение, высокой электропроводностью канала. Это позволяет увеличить плотность мощности и КПД в системах преобразования энергии. Транзисторы семейства CoolMOS™например используются в преобразователях солнечной энергии.



    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 14-01-2021, 18:10.

  • Новые MOSFET-транзисторы линейки StrongIRFET в корпусе TO-247 и рабочим напряжением 100-150 В

    Компания Infineon представила новые транзисторы IRF100P218, IRF100P219, IRF150P220, IRF150P221 в корпусе TO-247 и с рабочим напряжением от 100 В до 150 В, входящие в линейку StrongIRFET.

    Транзисторы рассчитаны на работу в приложениях с высоким энергопотреблением, таких как источники бесперебойного питания (ИБП), солнечные инверторы, аудио-усилители класса D, импульсные источники питания (SMPS) и источники постоянного тока для цепей с батарейным питанием.


    Подробнее о особенностях и характеристиках>>...
    Показать больше | К сообщению

  • Новые MOSFET-транзисторы линейки StrongIRFET в корпусе TO-247 и рабочим напряжением 100-150 В

    Компания Infineon представила новые транзисторы IRF100P218, IRF100P219, IRF150P220, IRF150P221 в корпусе TO-247 и с рабочим напряжением от 100 В до 150 В, входящие в линейку StrongIRFET.

    Транзисторы рассчитаны на работу в приложениях с высоким энергопотреблением, таких как источники бесперебойного питания (ИБП), солнечные инверторы, аудио-усилители класса D, импульсные источники питания (SMPS) и источники постоянного тока для цепей с батарейным питанием.


    Подробнее о особенностях и характеристиках>>...
    Показать больше | К сообщению

  • КОМПЭЛ: Новые мощные MOSFET-транзисторы OptiMOS в корпусе SuperSO8




    Компания Infineon представила расширение линейки OptiMOS 3 и 5 — мощные MOSFET-транзисторы в корпусе SuperSO8, наилучшие в своем классе. Их характеризуют высокая выходная мощность, большая надежность и малый уровень сопротивления открытого канала (RDS(on)), что в совокупности позволяет до минимума сократить потери и дает наилучшее соотношение цена/качество.

    Новые транзисторы имеют малое значение заряда восстановления диода (Qrr), что обеспечивает значительное снижение перегрузки по напряжению, увеличивая общую надежность системы. Это, в свою очередь, позволяет избавиться от демпфирующих цепей. Таким образом, можно снизить затраты на производство и упростить разработку.

    Номинальная рабочая температура новых транзисторов составляет до 175°C, что позволяет использовать их в мощных системах с повышенной рабочей температурой перехода, или же увеличить срок службы при обычной температуре перехода. Стоит также отметить, что благодаря увеличению значения рабочей температуры область устойчивой работы (SOA, safe operating area) увеличилась на 20%.

    Новые транзисторы прекрасно подходят для таких решений как трехфазные инверторы, DC/DC-преобразователи, синхронные выпрямители, усилители класса D и так далее.



    Сопротивление открытого канала в старых и новых решениях

    Ключевые характеристики:
    • Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) увеличивает мощность и КПД;
    • Высокая рабочая температура до 175°C;
    • Низкое тепловое сопротивление RthJC;
    • Малый заряд восстановления диода (Qrr);
    • Корпус SuperSO8.

    Области применения:
    • Серверные решения;
    • Телекоммуникация;
    • Электроинструменты;
    • Низковольтные приводы;
    • Аудиоприложения класса D.
    BSC012N06NS 1,2 60
    BSC021N08NS5 2,1 80
    BSC027N10NS5 2,7 100
    BSC220N20NSFD 22,0 200
    BSC430N25NSFD 43,0 250


    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 30-03-2020, 07:28.

  • КОМПЭЛ: Новые MOSFET-транзисторы линейки StrongIRFET в корпусе TO-247 и рабочим напряжением 100-150 В



    Компания Infineon представила новые транзисторы IRF100P218, IRF100P219, IRF150P220, IRF150P221 в корпусе TO-247 и с рабочим напряжением от 100 В до 150 В, входящие в линейку StrongIRFET. Транзисторы рассчитаны на работу в приложениях с высоким энергопотреблением, таких как источники бесперебойного питания (ИБП), солнечные инверторы, аудио-усилители класса D, импульсные источники питания (SMPS) и источники постоянного тока для цепей с батарейным питанием.

    Среди представленных транзисторов IRF150P220 является новейшим флагманским продуктом компании. Он обладает высокой пропускной способностью и низким сопротивление открытого канала (RDS (on)), что делает его прекрасным выбором для использования в мощных приложениях. По сравнению с устройствами предыдущего поколения, пропускная способность IRF150P220 увеличилась на 19%, в то время как RDS (on) снизился на 54%, что снизило потери и увеличило мощность продукта.



    Пример использования IRF1ххP2ххXKMA1 в ИБП (расположены в блоке инвертора)

    Ключевые особенности:
    • Самый низкий RDS (on) = 1,3 мОм для 100 В-решений – 50-% улучшение по сравнению с предыдущими поколениями;
    • Самый низкий RDS (on) = 2,7 мОм для 150 В-решений – 54-% улучшение по сравнению с предыдущими поколениями;
    • Способность выдерживать ток до 209 А для 100 В-решений – 7-% улучшение по сравнению с предыдущими поколениями;
    • Способность выдерживать ток до 203 А для 150 В-решений – 19-% улучшение по сравнению с предыдущими поколениями;
    • Рабочая температура до 175°C;
    • Соответствие стандарту JEDEC.

    Области применения:
    • Источники бесперебойного питания (ИБП);
    • Солнечные инверторы;
    • Аудио-усилители класса D;
    • Импульсные источники питания (SMPS);
    • Цепи аккумуляторов;
    • Щеточные и бесщёточные двигатели постоянного тока (BLDC).
    IRF100P218XKMA1 100 1,3 330 209 TO-247
    IRF100P219XKMA1 100 1,7 168 203 TO-247
    IRF150P220XKMA1 150 2,7 160 203 TO-247
    IRF150P221XKMA1 150 4,5 80 186 TO-247


    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 25-03-2020, 20:37.

  • Новая линейка 600 В CoolMOS транзисторов P7 от Infineon

    600-вольтовые super-junction MOSFET CoolMOS P7 являются преемниками серии 600 В CoolMOS P6.

    Данные транзисторы наследуют тот же принцип высокой эффективности при простоте использования. Транзисторы этой линейки имеют лучшие в своем классе показатели сопротивления «сток-исток» открытого канала (RDS(on)), а также низкий заряд затвора (QG).


    Подробнее о характеристиках и особенностях>>...
    Показать больше | К сообщению

  • Новая линейка 600 В CoolMOS транзисторов P7 от Infineon

    600-вольтовые super-junction MOSFET CoolMOS P7 являются преемниками серии 600 В CoolMOS P6.

    Данные транзисторы наследуют тот же принцип высокой эффективности при простоте использования. Транзисторы этой линейки имеют лучшие в своем классе показатели сопротивления «сток-исток» открытого канала (RDS(on)), а также низкий заряд затвора (QG).


    Подробнее о характеристиках и особенностях>>...
    Показать больше | К сообщению

  • КОМПЭЛ: Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4



    Новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности.

    Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями – это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ: самые низкие уровни заряда затвора и емкости среди 1200 В переключателей, отсутствие потерь на восстановление внутреннего диода, низкие потери при переключении, не зависящие от температуры, и беспороговая характеристика.

    MOSFET линейки CoolSiC прекрасно подходят для топологий с жесткой и резонансной коммутацией, таких как схемы коррекции коэффициента мощности (ККМ), двунаправленные топологии, DC/DC-преобразователи или DC/AC-инверторы.

    Особенности:
    • Низкие потери при переключении;
    • Беспороговая характеристика;
    • Широкий диапазон напряжений «затвор-исток»;
    • Пороговое напряжение затвора VGS(th) = 4,5 В;
    • Контролируемая скорость нарастания напряжения (dV/dT);
    • Надежный токопроводящий диод для жесткой коммутации;
    • Потери при переключении не зависят от температуры;
    • Сохранение работоспособности при возникновении КЗ в течение 3 мкс при напряжении на затворе 15 В.

    Доступны для заказа в корпусах TO247-4. Данный корпус имеет дополнительный сигнальный вывод истока для оптимизации процесса переключения.

    Применение:
    • Системы преобразования солнечной энергии;
    • Системы зарядки электромобилей;
    • Источники бесперебойного питания (ИБП);
    • Блоки питания;
    • Управление двигателем.



    Пример типовой схемы зарядного устройства на транзисторах серии CoolSiC 1200В

    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 24-01-2020, 12:19.

  • Когда и почему выходят из строя MOSFET?

    Высокие температуры и другие параметры эксплуатационной среды, превышающие пределы безопасной работы, могут привести к выходу из строя полевых транзисторов, используемых в коммутационных цепях.

    Современные полевые транзисторы MOSFET (полевой транзистор структуры металл-оксид-полупроводник) являются основными компонентами в преобразователях мощности, коммутаторах электрических цепей, в электроприводах и импульсных источниках питания. MOSFET отличаются высоким входным сопротивлением затвора, а ток, протекающий через канал между истоком и стоком, управляется напряжением на затворе. Однако при отсутствии надлежащей защиты высокие значения входного импеданса и коэффициента усиления могут привести к повреждению транзистора.

    В статье рассматриваются несколько базовых принципов, позволяющих избежать повреждения MOSFET. Читать подробнее...

    ...
    Показать больше | К сообщению

  • Использование драйверов EiceDRIVER для повышения качества управления транзисторами SiC MOSFET


    Особенности использования драйверов линейки EiceDRIVER производства Infineon при работе с MOSFET-транзисторами на базе карбида кремния требования к их параметром, функции защиты от короткого замыкания и предотвращения эффекта Миллера расчет рассеиваемой мощности и рекомендуемая топология печатных плат – обо всем этом рассказывает руководство по применению от компании Infineon.
    Читать статью......
    Показать больше | К сообщению

  • EBV Elektronik: Toshiba Electronics: TK3R1P04PL, TK4R4P06PL, TK6R7P06PL — N-канальные MOSFET-транзисторы с напряжением сток-исток до 60 В


    Новые MOSFET-транзисторы TK3R1P04PL (40 В), TK4R4P06PL (60 В) и TK6R7P06PL (60 В) выпускаются в компактном корпусе DPAK и идеально подходят для высокоэффективных схем преобразования мощности, таких как AC/DC и DC/DC преобразователи, импульсные источники питания и системы управления электроприводами.

    Неизменной популярностью в промышленных приложениях пользуются корпуса DPAK, монтируемые на поверхность печатной платы. Компания Toshiba производит новые транзисторы именно в таких корпусах с изготовлением кристалла по новейшему высокочастотному низковольтному техпроцессу UMOS IX-H. Элемент этого процесса UMOS9 обладает превосходным компромиссным соотношением сопротивления открытого канала и выходного заряда: RDS(ON) * QOSS.

    N-канальный MOSFET-транзистор TK3R1P04PL
    Отличительные особенности:
    • Высокая частота переключения
    • Низкий выходной заряд QOSS
    • Превосходное соотношение сопротивления открытого канала и выходного заряда (RDS(ON)* QOSS)
    • Максимальная рабочая температура перехода TJ: +175°C
    • Поддержка логических уровней сигналов управления: 4,5 В
    • Максимальное сопротивление открытого канала:
      • TK3R1P04PL: 3.1 мОм (при токе стока 58 А и температуре +25ºC)
      • TK4R4P06PL: 4.4 мОм (при токе стока 58 А и температуре +25ºC)
      • TK6R7P06PL: 6.7 мОм (при токе стока 46 А и температуре +25ºC)

    Область применения:
    • DC/DC преобразователи с высоким КПД
    • Импульсные источники питания
    • Электроприводы

    Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

    Документация на TK3R1P04PL (англ.)

    Документация на TK4R4P06PL (англ.)

    Документация на TK6R7P06PL (англ.)





    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 19-06-2018, 16:19.

  • МТ-Систем: IXYS представляет новую серию MOSFET-транзисторов Ultra-Junction X3-Class на 300 В




    Компания IXYS, входящая в корпорацию Littelfuse, анонсировала новую линейку транзисторов 300V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs.

    Транзисторы разработаны с использованием запатентованной технологии компенсации заряда, которая демонстрирует наименьшее сопротивление канала (5,5мОм в TO-264 и 4,6мОм в SOT-227), что обеспечивает максимальную плотность мощности и энергоэффективность.

    Особенности:
    • Низкий RDS(on) (4.6 mΩ) и Qg (22 nC)
    • Встроенный быстрый диод
    • Устойчивость к высокому dv/dt
    • Стойкость к лавинным токам
    • Высокая плотность мощности
    • Низкая индуктивность корпуса
    • Большой выбор типов корпусов
    • Пригодны как для мягких, так и для жестких режимов коммутации

    Транзисторы, доступные для заказа:

    PartNumber VDSS
    Max
    (V)
    ID(cont)
    TC=25°C
    (A)
    RDS(on)
    Max
    TJ=25°C
    (Ω)
    Ciss
    Typ
    (pF)
    Qg
    Typ
    (nC)
    trr
    Typ
    (ns)
    PD
    (W)
    RthJC
    Max
    (ºC/W)
    Package Style
    IXFY26N30X3 300 26 0.066 1465 22 105 170 0.73 TO-252
    IXFP26N30X3 300 26 0.066 1465 22 105 170 0.73 TO-220
    IXFA26N30X3 300 26 0.066 1465 22 105 170 0.73 TO-263
    IXFP38N30X3 300 38 0.05 2240 35 90 240 0.52 TO-220
    IXFP38N30X3M 300 38 0.05 2440 35 90 34 3.70 OVERMOLDED TO-220
    IXFA38N30X3 300 38 0.05 2240 35 90 240 0.52 TO-263
    IXFA56N30X3 300 56 0.027 3750 56 115 320 0.39 TO-263AA
    IXFH56N30X3 300 56 0.027 3750 56 115 320 0.39 TO-247
    IXFP56N30X3M 300 56 0.027 3750 56 115 36 3.50 OVERMOLDED TO-220
    IXFP56N30X3 300 56 0.027 3750 56 115 320 0.39 TO-220AB
    IXFP72N30X3M 300 72 0.019 5400 82 100 36 3.50 OVERMOLDED TO-220
    IXFP72N30X3 300 72 0.019 5400 82 100 390 0.32 TO-220AB
    IXFH72N30X3 300 72 0.019 5400 82 100 390 0.32 TO-247
    IXFQ72N30X3 300 72 0.019 5400 82 100 390 0.32 TO-3P
    IXFA72N30X3 300 72 0.019 5400 82 100 390 0.32 TO-263AA
    IXFH100N30X3 300 100 0.0135 7660 122 130 48 0.26 TO-247
    IXFT100N30X3HV 300 100 0.0135 7660 122 130 480 0.26 TO-268HV
    ...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 15-05-2018, 16:20.

  • EBV Elektronik: Vishay: SiHP065N60E — первый представитель 4-го поколения силовых MOSFET-транзисторов серии E с рабочим напряжением 600 В



    Обладая наилучшим в отрасли показателем качества (произведение заряда затвора на остаточное сопротивление) — ключевым параметром для силовых MOSFET-транзисторов с напряжением сток-исток 600 В, N-канальный транзистор SiHP065N60E обеспечивает высокий КПД источников питания, применяемых в промышленном и телекоммуникационном оборудовании, системах освещения и вычислительной технике.

    Новый транзистор выполнен по передовой, высокоэффективной технологии суперперехода. Компания Vishay следует своему принципу предлагать клиентам широкий ассортимент MOSFET-технологий и поставляет решения для всех стадий процесса преобразования энергии — от высоковольтного входа до низковольтного выхода, необходимых современным электронным системам.

    SiHP065N60E, а также другие транзисторов четвертого поколения серии E с напряжением сток-исток 600 В, которые появятся в ближайшем будущем, демонстрирует приверженность компании удовлетворять спрос на эффективные компоненты с высокой плотностью мощности, используемые в первичных каскадах систем питания, таких как корректоры коэффициента мощности и следующие за ними высоковольтные преобразователи постоянного напряжения.

    N-канальный MOSFET-транзистор SiHP065N60E
    Отличительные особенности:
    • Уменьшенные на 30% сопротивление открытого канала RDS(ON)) и на 44% заряд затвора Qg по сравнению с предыдущим поколением MOSFET-транзисторов серии E с напряжением сток-исток 600 В
    • Показатель добротности FOM на 25% лучше по сравнению с ближайшими конкурирующими устройствами
    • Сверхмалые сопротивление открытого канала и заряд затвора снижают потери на проводимость и переключение и повышают энергоэффективность системы
    • Произведение остаточного сопротивления на заряд затвора (показатель качества): 2.8 Ом*нКл
    • Низкие значения эффективных выходных емкостей — Co(er) и Co(tr) улучшают характеристики переключения
    • Прибор выпускается в корпусе TO-220AB
    • Конструкция устройства соответствует требованиям директивы RoHS и не содержит галогенов
    • Транзистор выдерживает переходные перегрузки по напряжению в режиме лавинного пробоя с гарантированными пределами, установленными для полного прохождения теста UIS

    Область применения:
    • Корректоры коэффициента мощности и преобразователи постоянного напряжения с жестким режимом коммутации силовых ключей
    • Источники питания серверов и телекоммуникационного оборудования
    • Импульсные источники питания
    • Источники питания ламп высокой интенсивности разряда (HID)
    • Балласты флуоресцентных ламп
    • Сварочные аппараты
    • Схемы управления электродвигателями
    • Зарядные устройства аккумуляторных батарей
    • Солнечные инверторы
    Документация на SiHP065N60E (англ.)


    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 27-02-2018, 14:16.

  • AsdobsA
    Участник создал тему Продам STU7NM60N

    Продам STU7NM60N

    MOSFET N-CH 600V 5A IPAK; Discrete Semiconductor Products; мин.заказ 1шт

    Наличие на складе 800шт.

    РБ г. Минск alexsamakar@gmail.com
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось AsdobsA; 26-01-2018, 14:06.

  • Журнал «ЭК»:Новая серия силовых MOSFET-транзисторов CoolMOS™ P7 с рабочим напряжением сток-исток 600 В от компании Infineon Technolgies

    Силовые MOSFET-транзисторы с оптимальным балансом легкости применения и высочайшей энергоэффективности.


    Являясь дальнейшим развитием линейки 600-вольтовых транзисторов серии CoolMOS™ P6, новое поколение устройств серии CoolMOS™ P7 ориентировано на широкий спектр приложений — от маломощных импульсных источников питания до силовых каскадов наивысшей мощности, работающих в режиме жесткой или плавной коммутации. Серия транзисторов с рабочим напряжением 600 В CoolMOS™ P7 считается наиболее сбалансированной среди всех представителей семейства CoolMOS™ компании Infineon по таким показателям, как легкость применения (например, благодаря минимальному уровню «звона»), превосходный КПД переключения и конкурентоспособная цена.

    Новые 600-вольтовые транзисторы CoolMOS™ P7 обеспечивают на 1.5% большую эффективность и греются на 4.2°C меньше, чем аналогичные конкурирующие продукты. Заряд затвора QG и накопленная энергия на выходной емкости EOSSновых транзисторов на 30…60% меньше, по сравнению с устройствами CoolMOS™ предыдущего поколения и конкурирующими решениями, что позволяет снизить потери на переключение в управляющем контуре, повысив тем самым КПД схемы в приложениях различного класса мощности. Более того, оптимизированное сопротивление открытого канала RDS(ON) позволяет снизить монтажную площадь и увеличить плотность мощности конечного решения.

    Исключительная легкость применения транзисторов CoolMOS™ P7 достигается, в том числе, за счет тщательного отбора по характеристикам интегрированного резистора затвора. Помимо этого, внутренний паразитный диод с высокой перегрузочной способностью позволяет применять транзисторы в схемах как с жестким так и с плавным режимами коммутации. Наконец, вся линейка 600-вольтовых транзисторов CoolMOS™ P7 отличается стойкостью к электростатическим разрядам свыше 2 кВ (модель человеческого тела), что снижает вероятность выхода устройства из строя в процессе его монтажа. Транзисторы с сопротивлением открытого канала выше 100 мОм гарантируют надежную защиту от электростатических разрядов благодаря встроенному стабилитрону.

    Отличительные особенности:
    • Превосходные коммутационные характеристики
    • Оптимальный баланс между эффективностью и простотой использования
    • Существенно меньшие потери на переключение и проводимость
    • Высокая стойкость к электростатическим разрядам: свыше 2 кВ по модели человеческого тела (HBM)
    • Меньшее сопротивление открытого канала RDS(ON) по сравнению с конкурирующими устройствами в аналогичных корпусах
    • Широкая линейка устройств, тщательно отобранных по параметру сопротивления открытого канала RDS(ON) и сертифицированных для применения в промышленных и потребительских приложениях
    Ключевые преимущества:
    • Пригодны для применения в схемах с жестким и плавным режимами коммутации
    • Легкость применения и интеграции в пользовательское решение за счет малого уровня затухающих колебаний («звона») и возможности работы в составе каскадов широтно-импульсной модуляции и коррекции коэффициента мощности
    • Легкость управления тепловым режимом благодаря малым потерям на проводимость и переключение
    • Увеличенная плотность мощности за счет использования компонентов с меньшей опорной площадью корпуса
    • Пригодны для применения в широком спектре приложений различных классов мощности
    Область применения:
    • Источники питания серверов и персональных компьютеров, плазменных и ЖК дисплеев, осветительных приборов, телекоммуникационного оборудования
    • Источники бесперебойного питания


    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 15-01-2018, 11:13.
2002—2021 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  ExpoElectronica RADEL
Обработка...
X