Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

Search Result

Свернуть
12 результатов за 0.0204 секунд.
Ключевые слова
Участники
Метки
coolmos p7 x

  • Новые MOSFET-транзисторы линейки CoolMOS P7 600 В в корпусе TO-247

    Компания Infineon представила транзисторы IPW60R045P7XKSA1, IPW60R024P7XKSA1, IPP60R160P7XKSA1 в корпусе TO-247, входящие в состав линейки 600-вольтовых транзисторов CoolMOS P7. Линейка CoolMOS P7 является преемницей CoolMOS P6 и объединяет в себе простоту применения, прекрасные рабочие характеристики и невысокую цену. Она подходит для широкого спектра приложений: от маломощных SMPS до решений высокой мощности. Подробнее >>

    ...
    Показать больше | К сообщению

  • Новая линейка 600 В CoolMOS транзисторов P7 от Infineon

    600-вольтовые super-junction MOSFET CoolMOS P7 являются преемниками серии 600 В CoolMOS P6.

    Данные транзисторы наследуют тот же принцип высокой эффективности при простоте использования. Транзисторы этой линейки имеют лучшие в своем классе показатели сопротивления «сток-исток» открытого канала (RDS(on)), а также низкий заряд затвора (QG).


    Подробнее о характеристиках и особенностях>>...
    Показать больше | К сообщению

  • Новая линейка 600 В CoolMOS транзисторов P7 от Infineon

    600-вольтовые super-junction MOSFET CoolMOS P7 являются преемниками серии 600 В CoolMOS P6.

    Данные транзисторы наследуют тот же принцип высокой эффективности при простоте использования. Транзисторы этой линейки имеют лучшие в своем классе показатели сопротивления «сток-исток» открытого канала (RDS(on)), а также низкий заряд затвора (QG).


    Подробнее о характеристиках и особенностях>>...
    Показать больше | К сообщению

  • КОМПЭЛ: Новая линейка 600 В CoolMOS транзисторов P7 от Infineon




    600-вольтовые super-junction MOSFET CoolMOS P7 являются преемниками серии 600 В CoolMOS P6. Данные транзисторы наследуют тот же принцип высокой эффективности при простоте использования. Транзисторы этой линейки имеют лучшие в своем классе показатели сопротивления «сток-исток» открытого канала (RDS(on)), а также низкий заряд затвора (QG).

    Особенности:
    • Высокая надежность;
    • Оптимизированный баланс эффективности и простоты использования;
    • Низкие потери на переключение;
    • Высокая устойчивость к электростатике >2 кВ (HBM);
    • Лучшие в своем классе показатели сопротивления «сток-исток» открытого канала (Rds(on), менее 1 Ом на мм²);
    • Широкий перечень номенклатуры изделий, позволяющий подобрать компоненты под разные отрасли применения;
    • Компактные размеры, занимаемая площадь не более 12 x 12 мм²



    Внешний вид транзисторов линейки 600 В CoolMOS P7 SJ

    Типовые применения:
    • Зарядные устройства;
    • Адаптеры;
    • Системы освещения;
    • Системы преобразования солнечной энергии;
    • Электромобили;
    • Серверные системы
    IPA60R160P7XKSA1 160 мОм TO220-3-FP
    IPAN60R180P7SXKSA1 180 мОм TO220-3-FP
    IPAN60R280P7SXKSA1 280 мОм TO220-3-FP
    IPAN60R360P7SXKSA1 360 мОм TO220-3-FP
    IPAN60R600P7SXKSA1 600 мОм TO220-3-FP
    IPB60R045P7ATMA1 45 мОм TO263-3
    IPP60R160P7XKSA1 160 мОм TO220-3
    IPW60R024P7XKSA1 24 мОм TO247-3
    IPW60R045P7XKSA1 45 мОм TO247-3
    IPZA60R024P7XKSA1 24 мОм TO247-4
    IPZA60R045P7XKSA1 45 мОм TO247-4


    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 05-02-2020, 18:20.

  • Вебинар «Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7» (13.06.2019)

    13 июня компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании Infineon из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом поведении транзисторов, об энергии лавинного пробоя и многом другом.

    Данный вебинар будет интересен инженерам-конструкторам и схемотехникам, разрабатывающим источники вторичного электропитания различного назначения.

    Программа и регистрация на сайте КОМПЭЛ.

    ...
    Показать больше | К сообщению

  • CoolMOS P7 950V – новое семейство МОП-транзисторов от Infineon

    Компания Infineon представила новое семейство МОП-транзисторов CoolMOS P7, ориентированных на создание источников вторичного
    электропитания малой и средней мощности (10…150 Вт).

    Транзисторы CoolMOS P7, по сравнению с предыдущим семейством CoolMOS C3, обладают меньшим сопротивлением открытого канала,
    увеличенным напряжением пробоя, минимальной энергией Eoss и меньшими потерями на управление. Подробнее >>

    ...
    Показать больше | К сообщению

  • КОМПЭЛ: Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов



    Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO-220 FP Narrow Lead и SOT-223. Кроме этого, появились дополнительные представители семейства в ранее анонсированных корпусах. Например, транзисторы в корпусе DPAK теперь представлены в очень широком диапазоне сопротивлений канала с нижней границей 280 мОм.

    Отличительной особенностью 800 В MOSFET CoolMOS P7 является снижение более чем на 50% параметров EOSS и QG, а также уменьшение паразитных емкостей CISS и COSS по сравнению с предыдущим поколением CoolMOS С3. Все приборы семейства 800 В MOSFET CoolMOS P7 оснащены ESD защитой в цепи затвора.

    Использование 800 В MOSFET CoolMOS P7 в корпусе SOT-223 позволяет реализовать более компактное и дешевое решение, по сравнению с применением транзисторов в корпусе DPAK. Как видно из примера (рисунок ниже), при установке SOT-223 на посадочное место DPAK разница в температуре на корпусе составит всего 2,8°С. А в случае, если компоновка платы позволяет увеличить площадь контакта под выводом стока до 60 мм², разница в нагреве становится равной нулю.




    Сравнение нагрева транзисторов в корпусах DPAK и SOT-223
    Особенности 800 В MOSFET CoolMOS™ P7

    • лучшее соотношение RDS(ON)*EOSS среди конкурентов;
    • значительное улучшение динамических параметров QG, CISS, COSS по сравнению с предыдущим поколением;
    • пороговое напряжение затвора 3 В ±0,5 В;
    • встроенная ESD защита цепи затвора;
    • широкая номенклатура корпусов и типовых сопротивлений канала.
    Целевые применения

    • LED драйверы;
    • источники питания собственных нужд;
    • зарядные устройства/адаптеры для портативной электроники;
    • цепи высоковольтного запуска (High Voltage Start Up) источников питания.

    Материалы по теме

    Новости

    Статьи

    Презентации




    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 05-04-2018, 13:17.

  • Журнал «ЭК»:Новая серия силовых MOSFET-транзисторов CoolMOS™ P7 с рабочим напряжением сток-исток 600 В от компании Infineon Technolgies

    Силовые MOSFET-транзисторы с оптимальным балансом легкости применения и высочайшей энергоэффективности.


    Являясь дальнейшим развитием линейки 600-вольтовых транзисторов серии CoolMOS™ P6, новое поколение устройств серии CoolMOS™ P7 ориентировано на широкий спектр приложений — от маломощных импульсных источников питания до силовых каскадов наивысшей мощности, работающих в режиме жесткой или плавной коммутации. Серия транзисторов с рабочим напряжением 600 В CoolMOS™ P7 считается наиболее сбалансированной среди всех представителей семейства CoolMOS™ компании Infineon по таким показателям, как легкость применения (например, благодаря минимальному уровню «звона»), превосходный КПД переключения и конкурентоспособная цена.

    Новые 600-вольтовые транзисторы CoolMOS™ P7 обеспечивают на 1.5% большую эффективность и греются на 4.2°C меньше, чем аналогичные конкурирующие продукты. Заряд затвора QG и накопленная энергия на выходной емкости EOSSновых транзисторов на 30…60% меньше, по сравнению с устройствами CoolMOS™ предыдущего поколения и конкурирующими решениями, что позволяет снизить потери на переключение в управляющем контуре, повысив тем самым КПД схемы в приложениях различного класса мощности. Более того, оптимизированное сопротивление открытого канала RDS(ON) позволяет снизить монтажную площадь и увеличить плотность мощности конечного решения.

    Исключительная легкость применения транзисторов CoolMOS™ P7 достигается, в том числе, за счет тщательного отбора по характеристикам интегрированного резистора затвора. Помимо этого, внутренний паразитный диод с высокой перегрузочной способностью позволяет применять транзисторы в схемах как с жестким так и с плавным режимами коммутации. Наконец, вся линейка 600-вольтовых транзисторов CoolMOS™ P7 отличается стойкостью к электростатическим разрядам свыше 2 кВ (модель человеческого тела), что снижает вероятность выхода устройства из строя в процессе его монтажа. Транзисторы с сопротивлением открытого канала выше 100 мОм гарантируют надежную защиту от электростатических разрядов благодаря встроенному стабилитрону.

    Отличительные особенности:
    • Превосходные коммутационные характеристики
    • Оптимальный баланс между эффективностью и простотой использования
    • Существенно меньшие потери на переключение и проводимость
    • Высокая стойкость к электростатическим разрядам: свыше 2 кВ по модели человеческого тела (HBM)
    • Меньшее сопротивление открытого канала RDS(ON) по сравнению с конкурирующими устройствами в аналогичных корпусах
    • Широкая линейка устройств, тщательно отобранных по параметру сопротивления открытого канала RDS(ON) и сертифицированных для применения в промышленных и потребительских приложениях
    Ключевые преимущества:
    • Пригодны для применения в схемах с жестким и плавным режимами коммутации
    • Легкость применения и интеграции в пользовательское решение за счет малого уровня затухающих колебаний («звона») и возможности работы в составе каскадов широтно-импульсной модуляции и коррекции коэффициента мощности
    • Легкость управления тепловым режимом благодаря малым потерям на проводимость и переключение
    • Увеличенная плотность мощности за счет использования компонентов с меньшей опорной площадью корпуса
    • Пригодны для применения в широком спектре приложений различных классов мощности
    Область применения:
    • Источники питания серверов и персональных компьютеров, плазменных и ЖК дисплеев, осветительных приборов, телекоммуникационного оборудования
    • Источники бесперебойного питания


    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 15-01-2018, 11:13.

  • Терраэлектроника: Семейства транзисторов MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 и отладочные средства для них. Краткий обзор. Часть 2

    Краткий обзор. Часть 2

    Силовые транзисторы MOSFET 700V CoolMOS™ P7 – ответ Infineon для обратноходовой топологии

    Транзисторы MOSFET 700V CoolMOS™ P7 разработаны для удовлетворения сегодняшних и, особенно, завтрашних тенденций в обратноходовой топологии. Предлагая фундаментальный прирост производительности по сравнению с superjunction технологией, используемые сегодня новые 700 В транзисторы серии CoolMOS™ P7 адресованы, прежде всего, рынку маломощных импульсных источников питания, таких как зарядные устройства мобильных телефонов, адаптеры ноутбуков, источники питания ТВ, освещения, аудио и др.

    Семейство 700 V CoolMOS™ P7 предлагает снижение на 2% - 5% потерь на отключение (Eoss) транзистора, до 3.9% более высокую эффективность и впечатляющую до 16°С более низкую температуру транзисторов по сравнению с конкурентами. По сравнению с предыдущей технологией 650 V CoolMOS™ C6 новая технология предлагает повышение эффективности до 2.4% и снижение температуры. Например, температура, измеренная на зарядном устройстве, выполненном по обратноходовой топологии и работающем на частоте коммутации 140 кГц, ниже на 12°С.

    Основные преимущества семейства MOSFET 700V CoolMOS™ P7:
    • Конкурентная по стоимости технология
    • Полностью оптимизированный выбор продукта
    • Уменьшение индуктивных компонентов и снижение затрат на BOM
    • Высокая степень защиты от ESD до уровня HBM класса 2
    • Дальнейшее повышение эффективности при более высокой скорости переключения
    • Прирост эффективности до 2.4% и более низкая температура (до 12°С) по сравнению с транзисторами, изготовленными по технологии C6
    • Транзисторы подходят для небольших форм-факторов и конструкций с высокой плотностью мощности

    Отличительные особенности транзисторов MOSFET семейства 700V CoolMOS™ P7:
    • Хорошо структурированная номенклатура
    • Большое разнообразие корпусов
    • Возможна высокая частота коммутаций
    • Интегрированный Зенеровский диод
    • Экстремально низкие потери благодаря высокому показателю качества FOM (Figure of merit ) = RDS(on) x Qg(заряд затвора) и показателю Qgх Eoss(потери на отключение);
    • Значительная улучшенная производительность
    • Отличные температурные характеристики
    • Простая в использовании технология
    • Полное соответствие требованиям ЭМС

    Проведенные производителем тестовые измерения показывают, что P7 позволяет заменить транзисторы с сопротивлением открытого канала 900 мОм на транзисторы с сопротивлением 1400 мОм.

    Средства разработки на основе транзисторов семейства 700V CoolMOS ™ P7

    1. Оценочная плата сетевого 40 Вт адаптера, выполненного по обратноходовой топологии

    EVAL40W19VFLYBP7TOBO2 – тестовая платформа для бюджетных зарядных устройств и сетевых адаптеров, используя которую можно оценить возможности транзисторов семейства 700V CoolMOS ™ P7, а также общий дизайн преобразователя. Оценочная плата разработана на основе квазирезонансного (QR) обратноходового контроллера Infineon ICE2QS03G для уменьшения коммутационных потерь, что позволяет увеличить плотность мощности дизайна, снизить электромагнитное излучение и т. д.

    Преимущества:
    • Низкая цена
    • Высокая эффективность

    Применение:
    • Зарядные устройства/адаптеры
    • Импульсные источники питания

    Отличительные особенности:
    • Топология: обратноходовая;
    • Входное напряжение: 90 В AC – 265 В AC;
    • Частота входного напряжения: 47 Гц – 63 Гц;
    • Номинальное выходное напряжение 19 В;
    • Выходной ток 2.1 А;
    • Выходная мощность 40 Вт;
    • Коэффициент мощности: 0.53 @100 В AC, 0.36 @265 В AC;
    • 91.0% эффективность @230 В AC;
    • 89.5% эффективность @120 В AC;
    • Низкая стоимость, однослойный дизайн PCB.



    2. Референс-дизайн зарядного устройства

    EVAL15W5VFLYBP7TOBO1 – референс-дизайн зарядного устройства, использующий микросхему AC-DC квазирезонансного ШИМ контроллера ICE2QS03G, силовой MOSFET семейства 700V CoolMOS™ P7 IPS70R1K4P7S в IPAK корпусе, низковольтный силовой MOSFET семейства OptiMOS™ BSC067N06LS3G и высокоскоростной переключающий диод BAS21-03W. Изделие выполнено в небольшом тонком форм-факторе с различными режимами защиты. Выходные параметры изделия: 15 Вт, 5.0 В/ 3.0 A, USB разъем.

    Преимущества:
    • Тонкий форм-фактор размера штепсельной вилки
    • Выходная мощность 15 Вт
    • Корпус IPAK



    Отличительные особенности:
    • Диапазон входных напряжений AC: 85 В…265 В;
    • Частота входного напряжения: 50…60 Гц;
    • Выходное напряжение: 5 В;
    • Выходной ток: 3 А;
    • Частота преобразования: 55...110 кГц;
    • КПД: > 89% на 115 В AC и 230 В AC (на полной нагрузке);
    • Выходной USB разъем;
    • Потребление в режиме ожидания без нагрузки: не более 50 мВт.

    Силовые транзисторы MOSFET 800VCoolMOS™ P7 – новый эталон эффективности и тепловых характеристик...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 17-10-2017, 15:50.

  • ЭФО: Новые транзисторы CoolMOS™ P7 в корпусе SOT-223 сочетают отличные характеристики и простоту использования с экономичным корпусом>



    Компания Infineon Technologies расширяет недавно запущенное семейство силовых MOSFET транзисторов с технологией суперперехода CoolMOSTM P7 в корпусе SOT-223. Новые транзисторы разрабатывались в качестве прямой замены корпуса DPAK. Корпус SOT-223 полностью совместим с типовыми установочными размерами DPAK

    Новые силовые MOSFET транзисторы CoolMOS P7 разрабатывалась в ответ на нужды рынка импульсных источников питания малой мощности. Они предоставляют отличные характеристики и простоту использования, давая возможность разработчикам использовать преимущества современных полупроводниковых ключей.

    Корпус SOT-223 - экономически выгодная альтернатива DPAK, хорошо зарекомендовавшая себя в чувствительных к ценам областях применения. Тепловые режимы транзисторов CoolMOS P7 в этом корпусе исследовались в различных условиях. При установке SOT-223 на установочную площадку DPAK, температура повышалась на 2-3°C по сравнению со стандартным DPAK. Если площадь медной металлизации под корпусом SOT-223 довести до 20 mm² или более, то температурные характеристики сравняются с корпусом DPAK



    Основные особенности и преимущества:
    1) Оптимальные характеристики технологии суперперехода (Superjunction)
    -обеспечивает более низкую температуру кристалла MOSFET транзистора
    -больший КПД по сравнению с предыдущими версиями
    -позволяет создавать современные более компактные устройства
    2) Экономически выгодный корпус
    -прямая замена DPAK по выгодной цене
    -компактность для устройств с малой мощностью рассеивания
    -тепловые характеристики сходны с DPAK
    3) Лучшее в своем классе соотношение цена/характеристики

    Области применения:
    • зарядные устройства для смартфонов;
    • адаптеры для ноутбуков;
    • источники питания для телевизоров;
    • освещение

    Ассортимент транзисторов CoolMOSTM P7 в корпусе SOT-223

    Транзисторы CoolMOSTM P7 с рабочим напряжением 700 и 800 В отлично подходят для обратноходовых (flyback) топологий. Транзисторы 600В - для импульсных топологий преобразователей (Flyback, PFC и LLC).


    *готовится к выпуску

    Подробнее www.infineon.com/p7

    www.infineon.com/sot-223.


    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 12-10-2017, 16:14.

  • КОМПЭЛ: CoolMOS™ P7 – новые 600V и 700V силовые MOSFET

    Линейка CoolMOS™ P7 Infineon является отлично сбалансированным решением, обладающим оптимальным соотношением эффективности и цены. Ключевая особенность транзисторов линейки — возможность их применения в схемах с различными топологиями.

    MOSFET на напряжение 600V являются приемниками серии P6 и находят свое применение в мощных импульсных источниках питания, солнечных инверторах и зарядных станциях для электротранспорта. Транзисторы 600V линейки в основном используются в секции ККМ и топологиях LLC и TTF (Two-Transistor Forward).

    MOSFET CoolMOS™ P7 отличаются сниженными на 30%-60% значениями Qg и Eoss, что приводит к уменьшению коммутационных потерь и увеличению КПД. Кроме того, благодаря оптимизированному значению RDS(ON) становится возможным использование меньших корпусов при сохранении прежних значений рабочего тока. Таким образом, достигается большая плотность мощности конечного изделия.

    Линейка 700V CoolMOS™ P7 адресована в основном для маломощных импульсных источников питания, построенных по топологии обратноходового преобразователя. Это могут быть различные зарядные устройства для портативной электроники, LED драйверы или различные источники питания собственных нужд. Благодаря оптимизации параметров MOSFET достигается выигрыш до 2,4% в КПД и до 16 °C в температуре прибора при прямой замене CoolMOS™ C6 новым P7 В зарядном устройстве, работающем на частоте 140 кГц.

    Основные преимущества транзисторов CoolMOS P7:
    • более мощный встроенный диод, позволяющий работать в LLC схемах;
    • встроенная ESD 2kV HBM защита цепи затвора;
    • малый уровень звона в цепи затвора при коммутации;
    • отличное соотношение Rds (on) и Qg;
    • широкий выбор корпусов;
    • универсальность — работают в топологиях PFC, LLC, TTF, Flyback;
    • хорошее соотношение эффективность/цена.

    CoolMOS™ P7 600V:



    CoolMOS™ P7 700V:




    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Gottwald; 25-08-2017, 13:40.

  • КОМПЭЛ: Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon


    Компания Infineon выпустила новое семейство P7 высоковольтных MOSFET на напряжение 800 В. Транзисторы серии CoolMOS P7 – это новый виток развития технологии Superjuction, пионером которой и являлся Infineon.

    Целевым применением MOSFET серии P7 являются изолированные AC-DC и DC-DC преобразователи, которые строятся на базе топологий Flyback и Forward с мощностью до 250-300 Вт. Семейство P7 будет интересно в первую очередь разработчикам, которые разрабатывают светодиодные драйверы, сетевые источники электропитания небольшой мощности, а также источники бесперебойного питания для слаботочного оборудования.

    Динамические параметры MOSFET P7 с напряжением 800 В удалось уменьшить более чем на 50%, по сравнению с предыдущими семействами С3 и CE. Благодаря этому, потери выключения транзисторов существенно снижены, что дает разработчикам отличный задел для увеличения частоты коммутации преобразователей с последующим уменьшением габаритов конечного изделия.


    Таблица 1. Технические параметры MOSFET серии P7

    Технические преимущества:
    • Лучшее на рынке соотношение FOM – Rds(on) * Eoss;
    • Существенно снижены (по сравнению с предыдущим поколением) показатели Qg, Ciss, Coss;
    • Повышение КПД конечных устройств до 0,6% и снижение температуры корпуса до 8°С по сравнению с ближайшими аналогами других производителей;
    • Самый низкий на рынке параметр Vgs(th) 3 В с малым разбросом ±0,5 В;
    • Встроенная защита затвора от электростатического разряда (2-й класс защиты по HBМ).

    Прочитать в оригинале…...
    Показать больше | К сообщению
    Последний раз редактировалось Darya; 23-03-2017, 13:11.
2002—2021 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  ExpoElectronica RADEL
Обработка...
X