Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

Свернуть
X
 
  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения

    CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

    Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет специалист ведущего разработчика силовых приборов из карбида кремния, компании Infineon.

    Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) все чаще используются в преобразователях питания, к размеру, весу и КПД которых предъявляются повышенные требования. Исключительные свойства SiC позволяют создавать униполярные устройства с высокой частотой переключения в противовес IGBT. Решения, которые до сих пор были возможны в устройствах до 600 В, теперь осуществимы и для более высоких напряжений и дают преимущества, снижающие их потребительскую стоимость: высокий КПД, более высокие частоты переключения, меньшее тепловыделение и экономия места.

    Читать статью >>

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	Infineon_SiC_Trench_MOSFET_400x82.png 
Просмотров:	14 
Размер:	37.5 Кб 
ID:	149061


    Надежность в мире перемен
    www.compel.ru

Похожие темы

Тема Автор Раздел Последнее сообщение
КОМПЭЛ: Новые силовые модули EasyPACK на основе TRENCHSTOP CoolSiC IGBT КОМПЭЛ Новости производителей и рынка 08-02-2021
SiC MOSFET 650 В. Превосходные параметры устройства на системном уровне! COMPEL Деловые предложения 09-02-2021
Макро Групп: SiC MOSFET 1200 В 32 мОм в корпусе TO-263-7L XL от Wolfspeed Макро Групп Новости производителей и рынка 12-02-2021
2002—2020 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  RADEL ExpoElectronica
Обработка...
X