Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

SiC MOSFET 650 В: увеличение плотности мощности на 300%!

Свернуть
X
 
  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения

    SiC MOSFET 650 В: увеличение плотности мощности на 300%!

    Новые SiC транзисторы 650 В с сопротивлением канала 15 мОм и 60 мОм построены по инновационной технологии третьего поколения, которая позволяет достичь большей в сравнении с традиционной кремниевой технологией удельной мощности при меньшем уровне потерь. Основным выигрышем для конечных пользователей будет снижение общей стоимости владения электронными устройствами в различных применениях за счёт увеличения КПД устройств, снижения требований к системе охлаждения и высочайшей надёжности.

    Подробнее >>

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	Wolfspeed_SiC_MOSFET_400X82.png 
Просмотров:	14 
Размер:	53.6 Кб 
ID:	145417
    Надежность в мире перемен
    www.compel.ru

Похожие темы

Тема Автор Раздел Последнее сообщение
КОМПЭЛ: 2EDF0275F и 2EDS9265H — двухканальные изолированные драйверы SiC MOSFET КОМПЭЛ Новости производителей и рынка 26-10-2020
КОМПЭЛ: Новые 40 В MOSFET семейства OptiMOS 5 с нормальным уровнем сигнала на затворе КОМПЭЛ Новости производителей и рынка 30-10-2020
ДКО Электронщик: Высокоэффективные светодиоды Compact PL повышенной мощности domko Прочие публикации по электронике 09-11-2020
900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей COMPEL Деловые предложения 10-11-2020
SiC MOSFET = высокий КПД источника питания COMPEL Деловые предложения 19-11-2020
2002—2020 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  RADEL ExpoElectronica
Обработка...
X