Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

SiC MOSFET = высокий КПД источника питания

Свернуть
X
 
  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения

    SiC MOSFET = высокий КПД источника питания

    650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед обычными кремниевыми (Si) 650 В MOSFET, но и перед нитрид-галлиевыми транзисторами.

    Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния позволяют разработчикам оптимизировать системы питания таким образом, чтобы одновременно максимизировать удельную мощность, уменьшить размер и вес устройств, а также повысить их КПД.

    Читать статью >>

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	Wolfspeed_SiC_MOSFET_CRD-06600FF065N_400X82.png 
Просмотров:	11 
Размер:	61.8 Кб 
ID:	144994
    Надежность в мире перемен
    www.compel.ru

Похожие темы

Тема Автор Раздел Последнее сообщение
КОМПЭЛ: Новые 40 В MOSFET семейства OptiMOS 5 с нормальным уровнем сигнала на затворе КОМПЭЛ Новости производителей и рынка 30-10-2020
900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей COMPEL Деловые предложения 10-11-2020
2002—2020 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  RADEL ExpoElectronica
Обработка...
X