Фазовая память – перспективный конкурент флэш-памяти.



Исследователям из Университета Райса и Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (UCLA) удалось более чем на 30% сократить расход энергии при записи данных на карты, использующие память с изменением фаз (phase-change memory, PCM). Это перспективный конкурент флэш-технологий.

PCM базируется на материалах, давно и успешно применяемых в перезаписываемых лазерных дисках. Значительного прогресса в адаптации этой технологии для энергонезависимой памяти общего назначения за последние месяцы добились лидеры индустрии, IBM и Samsung. PCM, как ожидают, должна по всем параметрам — быстроте, себестоимости и экономии энергии — превзойти флэш-память.

Запись информации в PCM происходит путем изменения сопротивления теплочувствительного материала. Под действием тепла он преобразуется из проводящего кристаллического состояния в стеклоподобное вещество с высоким сопротивлением. Для создания одного состояния необходим короткий импульс большой интенсивности, тогда как обратный процесс занимает больше времени и требует меньше энергии.

Используя комбинацию программных методов, исследователи создали кодировщик, который сканирует «слова» — короткие битовые последовательности на карте памяти — и перезаписывает только те их части, которые требуют изменения.

В ходе тщательных тестов было выявлено также, что помимо экономии энергии предложенная схема кодирования более чем на 40% снижает износ памяти (каждая ячейка может быть перезаписана ограниченное количество раз).


Прочитать в оригинале…