Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память

Свернуть
X
 
  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения

    Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память

    Микро- и наноэлектронный научный центр IMEC отчитается в следующем месяце на симпозиумах VLSI в Гонолулу о состоянии разработки разновидности мемристора — резистивной памяти RAM (RRAM).

    В докладах представителей центра IMEC, утверждающих о готовности запуска устройств RRAM в серийное производство по нормам ниже 20 нм, будет описана поперечная архитектура. Эта архитектура характеризуется большей плотностью, быстродействием и меньшим энергопотреблением по сравнению с плоской и может заменить любой тип памяти, включая DRAM.



    В резистивной ОЗУ (RRAM) оксид гафния (мемристивный материал) помещен между металлическими электродами. Источник: IMEC

    По мнению ученых IMEC, совместно работающих с другими научно-исследовательскими коллективами над созданием разновидности мемристора, единая технология памяти придет на смену флэш-памяти и другим разновидностями ОЗУ. Напомним, что мемристор был изобретен профессором Леоном Чуа (Leon Chua) из Университета Калифорнии-Беркли, а затем его разработкой занялась компания Hewlett-Packard.

    По мнению исследователей IMEC, компания HP под мемристором понимает устройство с определенными вольтамперными характеристиками, типичными для любой ячейки памяти RRAM, где происходит электрохимическая миграция вакансий кислорода в наномасштабной области между поверхностью перовскитного оксида и металлическим электродом.

    В разрабатываемых HP мемристорах используется интерфейсный тип переключения, тогда как ученые из IMEC применяют метод нитевидного переключения. При этом вакансии кислорода выстраиваются вдоль токопроводящей дорожки, наличие которой определяется их миграцией. Так или иначе, создаются поперечные массивы с очень высокой плотностью, которые используют программирующее напряжение для миграции вакансий кислорода, позволяя изменять сопротивление битовых ячеек энергонезависимым способом.

    По словам исследователей из IMEC, с помощью метода нитевидного переключения им удалось сократить время программирования до долей наносекунд, а рабочие токи – до менее чем 500 нА.

    На предстоящих в июне мероприятиях исследователи IMEC представят четыре доклада о мемристорах: «Dynamic ‘Hour Glass’ Model for Set and Reset in Hafnium Oxide RRAM», «Ultralow sub-500nA Operating Current in High-Performance Bipolar RRAM Achieved Through Understanding-Based Stack-Engineering», «Process-Improved RRAM Cell Performance and Reliability and Paving the Way for Manufacturability and Scalability for High Density Memory Application» и «Field-Driven Ultrafast sub-ns RRAM Programming».


    Прочитать в оригинале…
    Взято автоматически из интернета.

Похожие темы

Тема Автор Раздел Последнее сообщение
2002—2021 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  ExpoElectronica RADEL
Обработка...
X