Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

Выпрямители и диоды: обзор продукции 2011 г.

Свернуть
X
 
  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения

    Выпрямители и диоды: обзор продукции 2011 г.

    В 2011 г. многие компании представили различные типы диодов – от мостовых выпрямителей до диодов Шоттки на основе кремния и карбида кремния.

    Самой активной компанией с точки зрения выпуска новых моделей выпрямителей и диодов в 2011 г. стала Vishay Intertechnology. С января 2011 г. компания представила несколько типов TMBS-выпрямителей с барьером Шоттки (Trench MOS barrier Schottky). Эти выпрямители позволяют обеспечить более высокую плотность тока в низковольтных высокочастотных инверторах и распределительных блоках солнечных элементов, где они используются в качестве обратных диодов защиты фотоэлектрических элементов.

    TMBS-выпрямители сочетают высокую перегрузочную способность в прямом направлении с низким прямым напряжением VF, вплоть до 0,3 В, что позволяет минимизировать потери энергии. Устройства отвечают требованиям директивы RoHS 2002/95/EC и WEEE 2002/96/EC и не содержат галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21.

    Кроме того, компания Vishay расширила семейство TMBS-выпрямителей еще 20 приборами, рассчитанными на обратное напряжение 45 В и широкий диапазон номинальных токов 10–60 А в мощных корпусах четырех типов. Благодаря чрезвычайно низкой величине прямого напряжения (вплоть до 0,28 В при токе 5 A), эти TMBS-выпрямители позволяют снизить потери мощности и улучшить.

    Vishay представила дополнительно 12 TMBS-выпрямителей, рассчитанных на напряжение 45 В, которые характеризуются широким диапазоном номинального тока: 10…60 A. При чрезвычайно низком падении напряжения, составляющем обычно 0,33 В при токе 10 А, выпрямители оптимизированы для использования в распределительных блоках солнечных батарей в качестве обратных диодов защиты.

    Все выпрямители характеризуются максимальной рабочей температурой перехода 150°C и максимальной температурой перехода в режиме прямого постоянного тока без обратного смещения не более 200°C (в течение не более 1 ч). Устройства отвечают требованиям директивы RoHS 2002/95/EC и WEEE 2002/96/EC.

    Однофазные мостовые выпрямители в корпусе с однорядным расположением выводов

    Vishay выпустила также два однофазных мостовых выпрямителя, которые характеризуются пониженной по сравнению с предыдущим поколением устройств величиной прямого напряжения VF вплоть до 0,73 В при температуре 125°C и высокой перегрузочной способностью по импульсному прямому току.

    Выпрямитель LVB1560 обеспечивает номинальный ток в 15 A и низкое значение прямого напряжения VF, вплоть до 0,73 В при токе 7,5 А, в то время как LVB2560 обеспечивает номинальный ток в 25 A и прямое напряжение VF, вплоть до 0,76 В при токе 12,5 А.

    Мостовые выпрямители обеспечивают максимальное пиковое обратное напряжение в 600 В. Имеющие планарную структуру окисла на кристалле, устройства демонстрируют высокую электрическую прочность диэлектрика на уровне 2500 ВRMS.

    Сверхбыстрые 600-В выпрямители классов Hyperfast и Ultrafast, выполненные по технологии FRED Pt

    В 2011 г. Vishay выпустила 34 новых 600-В выпрямителя классов Hyperfast и Ultrafast, выполненных по технологии FRED Pt. Характеризуясь чрезвычайно быстрым временем восстановления, малой величиной прямого падения напряжения и малым зарядом обратного восстановления, новые устройства уменьшают потери на переключение и потери проводимости в высокоэффективных импульсных источниках питания с корректором коэффициента мощности (ККМ).

    Обратное время восстановления при комнатной температуре не превышает 17 нс (при IF = 8 A, di/dt = 200 A/мкс, VR = 390 В), а заряд обратного восстановления при температуре 125°C составляет 77 нКл (при IF = 8 A, di/dt = 200 A/мкс, VR = 390 В).

    Новые выпрямители входят в состав семейства Hyperfast серий H и X и семейства Ultrafast серии L. Кроме того, новая серия U была специально разработана для сверхбыстрого мягкого восстановления. Устройства имеют улучшенные показатели надежности, которые превышают стандартные требования по устойчивости к повышенной влаге и стабильности IR во времени.

    Выпрямители работают при максимальной температуре перехода 175°C, что важно для отказоустойчивых и экономически эффективных систем, а также имеют чрезвычайно низкие утечки. Устройства соответствуют требованиям директивы RoHS 2002/95/EC, не содержат галогенов согласно IEC 61249-2-21, а также спроектированы и специфицированы в соответствии с JEDEC-JESD47.

    Диоды Шоттки на карбиде кремния

    Компания Cree Inc. анонсировала новое семейство Z-Rec из семи 1200-В диодов Шоттки на карбиде кремния (SiC), которые оптимизированы по цене и характеристикам, рассчитаны на различные токи и доступны в различных корпусах.

    При создании устройств силовой электроники последнего поколения разработчики учитывают уникальные характеристики диодов Шоттки на основе карбида кремния – нулевые потери обратного восстановления, независимые от температуры потери на переключение, более высокую рабочую частоту при более низком уровне электромагнитных помех (ЭМП). Новое семейство диодов обеспечивает более высокую плотность тока и устойчивость в лавинном режиме по сравнению с предыдущим поколением диодов Шоттки на базе SiC без ухудшения остальных характеристик.

    Диоды Z-Rec от Cree обладают нулевым током обратного восстановления, что обеспечивает 50-% снижение потерь на переключение по сравнению с аналогичными кремниевыми диодами. Они также демонстрируют устойчивые характеристики переключения во всем температурном диапазоне, что упрощает схему и устраняет необходимость применения сложной системы управления тепловыми режимами. При использовании совместно с недавно представленными 1200-В мощными MOSFET на основе SiC новые диоды Шоттки позволяют реализовывать силовые цепи полностью с использованием приборов на основе карбида кремния. Эти устройства способны работать на частоте переключения, в четыре раза превышающей рабочую частоту обычных кремниевых диодов и IGBT. Это позволяет уменьшить размеры, сложность и стоимость схемы инвертора, обеспечивая чрезвычайно высокую эффективность. Наконец, новое семейство имеет дополнительные преимущества по перегрузочной способности и устойчивости в лавинном режиме по сравнению с предыдущим поколением диодов Шоттки на основе SiC, что увеличивает надежность системы.

    Эти устройства идеальны при использовании их в качестве вольтодобавочных диодов и встречно включенных диодов в инверторах для солнечных батарей и 3-фазных схем управления электроприводами, а также в цепях усиления ККМ в источниках питания и системах бесперебойного электроснабжения. Они также могут быть использованы в приложениях, в которых множество диодов включены параллельно для увеличения требуемой мощности.

    Представленные устройства рассчитаны на номинальные токи 2, 5, 10, 20 и 40 A. В зависимости от номинального тока диоды доступны в стандартном полностью изолированном корпусе TO-220 и в стандартном корпусе TO-247.

    Другие устройства на базе SiC

    Компания Rohm Semiconductor анонсировала серию высококачественных диодов с барьером Шоттки (SBD) на базе карбида кремния SCS1xxAGC. Этот класс диодов на базе SiC позволяет улучшить эффективность преобразования энергии в таких приложениях ККМ и источники питания, инверторы для солнечных панелей, источники бесперебойного энергопитания, кондиционеры и т.д.

    Серия SCS1xxAGC обеспечивает низкое прямое напряжение VF в широком диапазоне температур, что позволяет уменьшить рассеивание мощности в реальных условиях эксплуатации. Например, диод на 10 А имеет VF = 1,5 В при 25°C и 1,6 В при 150°C. Низкое прямое напряжение снижает потери проводимости, в то время как ультракороткое время обратного восстановления (типовое значение 15 нс) обеспечивает высокочастотное переключение и минимизацию потерь на переключение.

    С приобретением компании SiCrystal AG ROHM Semiconductor получила в свое распоряжение всю производственную базу для изготовления полупроводников на SiC – от формирования слитка до производства силовых устройств. Это обеспечивает быструю разработку новых продуктов и полный контроль над параметрами необходимых при их производстве материалов, что позволяет достичь лучшие в отрасли показатели по надежности и качеству.

    Высокотемпературные диоды малой мощности

    Бельгийская компания CISSOID выпустила сдвоенный последовательный высокотемпературный 80-В диод в компактном герметичном металлическом корпусе типа TO-18 – CHT-GANYMEDE. Этот прибор, состоящий из двух последовательно соединенных диодов, способен выдерживать обратное напряжение до 80 В, имеет максимальный прямой ток 300 мА при температуре 225°C и предназначен для работы в диапазоне температур: –55…225°C. Этот сдвоенный диод представляет собой дискретный прибор общего назначения, который можно использовать в различных приложениях, в том числе в цепях восстановления постоянной составляющей, низкоточных выпрямителях, схемах датчиков и т.д.

    Диоды CHT-GANYMEDE имеют весьма малую емкость перехода на уровне 8,5 пФ при обратном напряжении 25 В, что делает их идеальными для выпрямления переменного сигнала, например, в мостовых выпрямителях с использованием двух диодов GANYMEDE. Эти диоды имеют прямое напряжение 0,36 В при токе 1 мА и температуре 225°C, а кроме того демонстрируют весьма низкие токи утечки в 8,9 мкА при обратном напряжении 80 В и температуре 225°C, что делает их пригодными для высокотемпературных умножителей напряжения (с накачкой заряда). При прямом токе в 300 мА для прямого напряжения в 1,5 В при температуре 225°C диоды GANYMEDE можно использовать в схемах фиксации напряжения.

    Читать далее...

    Автор: Сэм Дэвис (Sam Davis), главный редактор, Power Electronics Technology


    Прочитать в оригинале…
    Взято автоматически из интернета.

Похожие темы

Тема Автор Раздел Последнее сообщение
2002—2022 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  ExpoElectronica RADEL
Обработка...
X