Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

КОМПЭЛ: Хорошие перспективы: новые SiC-полупроводники GPT

Свернуть
X
 
  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения

    КОМПЭЛ: Хорошие перспективы: новые SiC-полупроводники GPT





    Полупроводники на основе карбида кремния (SiC) имеют огромные перспективы в области силовой электроники. В Китае карбид-кремниевая промышленность – одно из направлений национального плана развития науки и техники, относящееся к национальной стратегической отрасли. Чтобы обеспечить промышленность Китая собственными SiC-полупроводниками, весной 2011 года была создана компания Global Power Technology Co., Ltd. (GPT), которая достаточно быстро начала свое развитие:
    • февраль 2012 – официальное открытие помещения, начало пуско-наладочных работ;
    • март 2012 – тестовый запуск технологической линии SiC-полупроводников;
    • декабрь 2012 – разработан диод Шоттки первого поколения с параметрами 1200 В/20 A;
    • ноябрь 2013 – массовое производство диодов Шоттки 600 и 1200 В;
    • декабрь 2013 – разработаны диоды Шоттки 1700 В/10 А и 3300 В/5 А;
    • декабрь 2016 – производство экспериментального образца SiC-транзистора 1200 В/10 A;
    • март 2019 – реализация проекта 6-дюймовой линии силовых электронных SiC-компонентов.

    За время развития GPT прошел сертификацию ISO9001 и IATF16949 и активно продолжает исследования в области силовых SiC-компонентов. Компания ведет постоянную разработку SiC-модулей и в настоящее время готова предложить SiC-диоды Шоттки нескольких поколений (номер которых является первой цифрой в наименовании) со следующими характеристиками:
    • 600 В, 4, 6 и 8 A;
    • 650 В, 1…100 A;
    • 1200 В, 2…50 A;
    • 1700 В, 5, 10, 20 и 50 A;
    • 3300 В, 0,6…5 А;
    • различное исполнение корпусов: T0-220, TO-247, TO-252, TO-263, TO-268, DFN5*6, DFN8*8, SOD123, SMA, SMD, а также бескорпусные кристаллы (Bare Die);
    • наличие 1 или 2 диодов в корпусе.

    Наличие компонентов нескольких поколений позволяет найти оптимальный баланс между стоимостью и характеристиками, например, стоимость пятого поколение диодов выше, но оно имеет наибольшую эффективность благодаря очень малому падению напряжения.

    В конце 2022 года компания планирует выпуск ряда SiC MOSFET.

    SiC-полупроводники в ближайшие десятилетия займут лидирующие позиции в производстве электроприводов, различных преобразователей и источников питания. Компания GPT готова предложить свою продукцию, не уступающую по качеству компонентам Wolfspeed, Infineon, ST, ONS, Rohm и других производителей. Постоянные инвестиции в разработку новых компонентов, небольшой срок производства (6…8 недель), развитие склада компонентов и уже существующая очень широкая линейка SiC-диодов обеспечивают сотрудничество с компанией GPT перспективностью и надежностью.



    Прочитать в оригинале…
    Последний раз редактировалось Darya; 25-11-2022, 14:33.

Похожие темы

Тема Автор Раздел Последнее сообщение
2002—2022 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  ExpoElectronica RADEL
Обработка...
X