Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

КОМПЭЛ: 2EDF0275F и 2EDS9265H — двухканальные изолированные драйверы SiC MOSFET

Свернуть
X
 
  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения

    КОМПЭЛ: 2EDF0275F и 2EDS9265H — двухканальные изолированные драйверы SiC MOSFET



    Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET — 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / -8 A и прекрасно подходят для совместной работы с основными семействами полевых транзисторов компании Infineon: CoolMOS, OptiMOS и CoolSIC. Они повышают эффективность управления благодаря низкой задержке распространения (37 нс) и высокой степени синхронизации в зависимости от рабочей температуры.

    Обратный ток на уровне до 5 А, высокий уровень изоляции, выполненной по фирменной технологии трансформаторов без сердечника, а также CMTI > 150 В/нс — эти параметры позволяют использовать данные микросхемы в высокопроизводительных системах преобразования мощности.

    Новые драйверы поставляются в компактных корпусах DSO-16 и ориентированы на применение в промышленных SMPS, серверном оборудовании, источниках бесперебойного питания, системах зарядки электромобилей и других решениях.

    Особенности
    • Низкая задержка распространения (37 нс);
    • Устойчивость к синфазным помехам CMTI > 150 В / нс;
    • Выходное напряжение: 4,5…20 В, выходной ток +4 A / -8 A;
    • Функция контроля пониженного напряжения (UVLO);
    • Высокий уровень изоляции 2EDSx: 5.7 кВ (RMS), 2EDFx: 1.5 кВ (DC).

    Области применения
    • Промышленные SMPS;
    • Телекоммуникационные системы;
    • Серверное оборудование;
    • Источники бесперебойного питания (ИБП);
    • Системы зарядки электромобилей;
    • Умные сети электроснабжения (Smart grid);



    Пример использования EiceDRIVER 2EDF9275F и 2EDS9265H для управления CoolSiC MOSFET

    Наименование Vout (мин, макс) Макс. ток Isource/Isink Задержка распространения сигнала Уровень изоляции Корпус
    2EDF9275F 4.5-20 В +4 A / -8 A 37 нс 1.5 кВ (DC) PG-DSO-16
    2EDS9265H 4.5-20 В +4 A / -8 A 37 нс 5.7 кВ (RMS) PG-DSO-16


    Прочитать в оригинале…
    Последний раз редактировалось Darya; 27-10-2020, 18:10.

Похожие темы

Тема Автор Раздел Последнее сообщение
MOSFET CoolSiC 1700 В: оптимально для вспомогательных ИП COMPEL Деловые предложения 20-10-2020
Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение COMPEL Деловые предложения 20-10-2020
Упрощаем конструкцию преобразователя с модулями CoolSiC MOSFET 1200 В! COMPEL Деловые предложения 22-10-2020
2002—2020 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  RADEL ExpoElectronica
Обработка...
X