Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

Журнал «ЭК»:АО «НИИЭТ» продолжает расширять номенклатуру мощных СВЧ GaN-транзисторов.

Свернуть
X
 
  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения

    Журнал «ЭК»:АО «НИИЭТ» продолжает расширять номенклатуру мощных СВЧ GaN-транзисторов.

    Предприятие получило патент на топологию 100-ваттной GaN-транзисторной структуры L-, S- диапазонов частот с напряжением питания 28 В со сложной структурой затворной шины. Об этом сообщил технический директор НИИ электронной техники Игорь Семейкин.

    «С учетом специфики работы СВЧ-схем, в новой конструкции транзисторного
    кристалла применена инновационная схема расположения балластирующих
    резисторов для стабилизации параметров и увеличения надежности
    выпускаемых транзисторов и аппаратуры в целом», -сказал он.

    Транзистор выпускается с приемкой ОТК под шифром «ПП9139Б1», а его стоимость составляет 22362,4 рублей без НДС. Заказать транзистор можно на официальном сайте АО «НИИЭТ» в разделе «Транзисторы серии «ПП».

    Изделие имеет следующие технические характеристики:

    Выходная мощность — 100 Вт
    Рабочая частота – до 4 ГГц
    Тестовая частота — 1,5 ГГц
    Коэффициент усиления мощности — 13 дБ
    Коэффициент полезного действия коллектора — 45 %
    Напряжение питания — 28 В
    Тип корпуса — КТ-55С-1

    Модернизированные транзисторы находят применение в широкополосных
    радиостанциях, высокоскоростных системах передачи данных и других
    радиосистемах в L- и S- диапазонах частот.



    Прочитать в оригинале…
    Последний раз редактировалось Darya; 22-10-2020, 17:13.
    Взято автоматически из интернета.

Похожие темы

Тема Автор Раздел Последнее сообщение
Журнал «ЭК»:Вышел в свет журнал «Электронные Компоненты» №10-2020 NewsRobot Прочие публикации по электронике 15-10-2020
2002—2020 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  RADEL ExpoElectronica
Обработка...
X