Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

АТОС: Power Integrations расширяет линейку микросхем InnoSwitch 3 компонентами с GaN транзисторами на 750 В

Свернуть
X
 
  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения

    АТОС: Power Integrations расширяет линейку микросхем InnoSwitch 3 компонентами с GaN транзисторами на 750 В

    Power Integrations объявила о расширении InnoSwitch 3 - семейства микросхем обратноходового импульсного преобразователя постоянного тока и напряжения. Новые устройства INN3x78C включают в себя транзистор PowiGaN меньшего размера - «size 8», c номинальным напряжением 750 В, что позволяет создавать компактные и эффективные блоки питания мощностью от 27 до 55 Вт без радиаторов.

    Микросхемы размещены в том же корпусе InSOP-24D, с большими путями утечки, соответствующем требованиям безопасности, что и более крупные члены семейств InnoSwitch3 на основе GaN, рассчитанные на мощность до 120 Вт.

    Технология PowiGaN, известная своей исключительной эффективностью - КПД до 94% в зависимости от сети и нагрузки, также чрезвычайно надежна, что делает ее очень устойчивой к скачкам и выбросам, которые обычно наблюдаются в регионах с нестабильным напряжением сети. Это позволяет OEM-производителям использовать единую конструкцию блока питания для использования по всему миру. Возможные приложения для новых компонентов включают USB Power Delivery и сильноточные зарядные устройства/адаптеры для мобильных устройств, а также, телевизионные приставки, дисплеи, сетевые и игровые продукты и устройства, особенно те, которые нацелены на соблюдение запланированного европейского регламента по маркировке энергоэффективности.

    Power Integrations столкнулись с повышенным спросом на эффективные преобразователи переменного тока в постоянный, включающие очень надежный транзистор GaN на 750 В. Одновременной электрической прочности и эффективности трудно достичь, из-за взаимосвязи между напряжением пробоя кремниевого МОП-транзистора, и потерями при переключении, связанными с COSS.

    Электрически прочные транзисторы PowiGaN имеют очень низкий COSS, поэтому, достижение КПД более 94%, и низкого коэффициента возврата поля, для тропических рынков, очень просто.




    Прочитать в оригинале…
    Последний раз редактировалось Darya; 15-10-2020, 11:45.
    Взято автоматически из интернета.
2002—2020 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  RADEL ExpoElectronica
Обработка...
X