Новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности.

Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями – это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ: самые низкие уровни заряда затвора и емкости среди 1200 В переключателей, отсутствие потерь на восстановление внутреннего диода, низкие потери при переключении, не зависящие от температуры, и беспороговая характеристика.

MOSFET линейки CoolSiC прекрасно подходят для топологий с жесткой и резонансной коммутацией, таких как схемы коррекции коэффициента мощности (ККМ), двунаправленные топологии, DC/DC-преобразователи или DC/AC-инверторы.

Особенности:
  • Низкие потери при переключении;
  • Беспороговая характеристика;
  • Широкий диапазон напряжений «затвор-исток»;
  • Пороговое напряжение затвора VGS(th) = 4,5 В;
  • Контролируемая скорость нарастания напряжения (dV/dT);
  • Надежный токопроводящий диод для жесткой коммутации;
  • Потери при переключении не зависят от температуры;
  • Сохранение работоспособности при возникновении КЗ в течение 3 мкс при напряжении на затворе 15 В.

Доступны для заказа в корпусах TO247-4. Данный корпус имеет дополнительный сигнальный вывод истока для оптимизации процесса переключения.

Применение:
  • Системы преобразования солнечной энергии;
  • Системы зарядки электромобилей;
  • Источники бесперебойного питания (ИБП);
  • Блоки питания;
  • Управление двигателем.



Пример типовой схемы зарядного устройства на транзисторах серии CoolSiC 1200В

Прочитать в оригинале…