Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

КОМПЭЛ: Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4

Свернуть
X
 
  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения

    КОМПЭЛ: Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4



    Новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности.

    Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями – это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ: самые низкие уровни заряда затвора и емкости среди 1200 В переключателей, отсутствие потерь на восстановление внутреннего диода, низкие потери при переключении, не зависящие от температуры, и беспороговая характеристика.

    MOSFET линейки CoolSiC прекрасно подходят для топологий с жесткой и резонансной коммутацией, таких как схемы коррекции коэффициента мощности (ККМ), двунаправленные топологии, DC/DC-преобразователи или DC/AC-инверторы.

    Особенности:
    • Низкие потери при переключении;
    • Беспороговая характеристика;
    • Широкий диапазон напряжений «затвор-исток»;
    • Пороговое напряжение затвора VGS(th) = 4,5 В;
    • Контролируемая скорость нарастания напряжения (dV/dT);
    • Надежный токопроводящий диод для жесткой коммутации;
    • Потери при переключении не зависят от температуры;
    • Сохранение работоспособности при возникновении КЗ в течение 3 мкс при напряжении на затворе 15 В.

    Доступны для заказа в корпусах TO247-4. Данный корпус имеет дополнительный сигнальный вывод истока для оптимизации процесса переключения.

    Применение:
    • Системы преобразования солнечной энергии;
    • Системы зарядки электромобилей;
    • Источники бесперебойного питания (ИБП);
    • Блоки питания;
    • Управление двигателем.



    Пример типовой схемы зарядного устройства на транзисторах серии CoolSiC 1200В

    Прочитать в оригинале…
    Последний раз редактировалось Darya; 24-01-2020, 12:19.
    Взято автоматически из интернета.

Похожие темы

Тема Автор Раздел Последнее сообщение
2002—2021 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  ExpoElectronica RADEL
Обработка...
X