Регистрация | Вход

Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

Терраэлектроника: Семейства транзисторов MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 и отладочные средства для них. Краткий обзор. Часть 2

Свернуть
X
 
  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения

    Терраэлектроника: Семейства транзисторов MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 и отладочные средства для них. Краткий обзор. Часть 2

    Краткий обзор. Часть 2

    Силовые транзисторы MOSFET 700V CoolMOS™ P7 – ответ Infineon для обратноходовой топологии

    Транзисторы MOSFET 700V CoolMOS™ P7 разработаны для удовлетворения сегодняшних и, особенно, завтрашних тенденций в обратноходовой топологии. Предлагая фундаментальный прирост производительности по сравнению с superjunction технологией, используемые сегодня новые 700 В транзисторы серии CoolMOS™ P7 адресованы, прежде всего, рынку маломощных импульсных источников питания, таких как зарядные устройства мобильных телефонов, адаптеры ноутбуков, источники питания ТВ, освещения, аудио и др.

    Семейство 700 V CoolMOS™ P7 предлагает снижение на 2% - 5% потерь на отключение (Eoss) транзистора, до 3.9% более высокую эффективность и впечатляющую до 16°С более низкую температуру транзисторов по сравнению с конкурентами. По сравнению с предыдущей технологией 650 V CoolMOS™ C6 новая технология предлагает повышение эффективности до 2.4% и снижение температуры. Например, температура, измеренная на зарядном устройстве, выполненном по обратноходовой топологии и работающем на частоте коммутации 140 кГц, ниже на 12°С.

    Основные преимущества семейства MOSFET 700V CoolMOS™ P7:
    • Конкурентная по стоимости технология
    • Полностью оптимизированный выбор продукта
    • Уменьшение индуктивных компонентов и снижение затрат на BOM
    • Высокая степень защиты от ESD до уровня HBM класса 2
    • Дальнейшее повышение эффективности при более высокой скорости переключения
    • Прирост эффективности до 2.4% и более низкая температура (до 12°С) по сравнению с транзисторами, изготовленными по технологии C6
    • Транзисторы подходят для небольших форм-факторов и конструкций с высокой плотностью мощности

    Отличительные особенности транзисторов MOSFET семейства 700V CoolMOS™ P7:
    • Хорошо структурированная номенклатура
    • Большое разнообразие корпусов
    • Возможна высокая частота коммутаций
    • Интегрированный Зенеровский диод
    • Экстремально низкие потери благодаря высокому показателю качества FOM (Figure of merit ) = RDS(on) x Qg(заряд затвора) и показателю Qgх Eoss(потери на отключение);
    • Значительная улучшенная производительность
    • Отличные температурные характеристики
    • Простая в использовании технология
    • Полное соответствие требованиям ЭМС

    Проведенные производителем тестовые измерения показывают, что P7 позволяет заменить транзисторы с сопротивлением открытого канала 900 мОм на транзисторы с сопротивлением 1400 мОм.

    Средства разработки на основе транзисторов семейства 700V CoolMOS ™ P7

    1. Оценочная плата сетевого 40 Вт адаптера, выполненного по обратноходовой топологии

    EVAL40W19VFLYBP7TOBO2 – тестовая платформа для бюджетных зарядных устройств и сетевых адаптеров, используя которую можно оценить возможности транзисторов семейства 700V CoolMOS ™ P7, а также общий дизайн преобразователя. Оценочная плата разработана на основе квазирезонансного (QR) обратноходового контроллера Infineon ICE2QS03G для уменьшения коммутационных потерь, что позволяет увеличить плотность мощности дизайна, снизить электромагнитное излучение и т. д.

    Преимущества:
    • Низкая цена
    • Высокая эффективность

    Применение:
    • Зарядные устройства/адаптеры
    • Импульсные источники питания

    Отличительные особенности:
    • Топология: обратноходовая;
    • Входное напряжение: 90 В AC – 265 В AC;
    • Частота входного напряжения: 47 Гц – 63 Гц;
    • Номинальное выходное напряжение 19 В;
    • Выходной ток 2.1 А;
    • Выходная мощность 40 Вт;
    • Коэффициент мощности: 0.53 @100 В AC, 0.36 @265 В AC;
    • 91.0% эффективность @230 В AC;
    • 89.5% эффективность @120 В AC;
    • Низкая стоимость, однослойный дизайн PCB.



    2. Референс-дизайн зарядного устройства

    EVAL15W5VFLYBP7TOBO1 – референс-дизайн зарядного устройства, использующий микросхему AC-DC квазирезонансного ШИМ контроллера ICE2QS03G, силовой MOSFET семейства 700V CoolMOS™ P7 IPS70R1K4P7S в IPAK корпусе, низковольтный силовой MOSFET семейства OptiMOS™ BSC067N06LS3G и высокоскоростной переключающий диод BAS21-03W. Изделие выполнено в небольшом тонком форм-факторе с различными режимами защиты. Выходные параметры изделия: 15 Вт, 5.0 В/ 3.0 A, USB разъем.

    Преимущества:
    • Тонкий форм-фактор размера штепсельной вилки
    • Выходная мощность 15 Вт
    • Корпус IPAK



    Отличительные особенности:
    • Диапазон входных напряжений AC: 85 В…265 В;
    • Частота входного напряжения: 50…60 Гц;
    • Выходное напряжение: 5 В;
    • Выходной ток: 3 А;
    • Частота преобразования: 55...110 кГц;
    • КПД: > 89% на 115 В AC и 230 В AC (на полной нагрузке);
    • Выходной USB разъем;
    • Потребление в режиме ожидания без нагрузки: не более 50 мВт.

    Силовые транзисторы MOSFET 800VCoolMOS™ P7 – новый эталон эффективности и тепловых характеристик



    Транзисторы семейства 800V CoolMOS™ P7 хорошо подходят для маломощных импульсных источников питания, полностью удовлетворяя потребностям рынка в производительности, простоте использования и соотношении цена/ производительность. Основной упор делается на приложения с обратноходовой топологией, включающие адаптеры и зарядные устройства, светодиодное освещение, импульсные источники питания (SMPS) для приложений аудио, источники вспомогательного питания (AUX) и индустриальные источники питания.

    Семейство 800V CoolMOS™ P7, протестированное в приложениях с обратноходовой топологией, обеспечивает рост эффективности на 0.1% … 0.6% и снижение температуры MOSFET от 2°C до 8°C по сравнению с семейством 800V CoolMOS™ C3. Такая, лучшая в своем классе, производительность достигается за счет сочетания различных оптимизированных параметров устройства, таких как сокращение более чем на 50% потерь на отключение Eoss и заряда затвора Qg, уменьшение входной Ciss и выходной Coss емкостей транзистора.

    Преимущества:
    • Рост эффективности на 0.1% … 0.6% и снижение температуры MOSFET от 2°C до 8°C по сравнению с семейством 800V CoolMOS™ C3;
    • Повышение плотности мощности изделия, сокращение BOM и затрат на сборку;
    • Простота управления и встраивания в систему;
    • Повышение производительности за счет сокращения брака, связанного с ESD;
    • Уменьшение производственных проблем;
    • Простота выбора необходимых деталей для тонкой настройки изделия.

    Отличительные особенности:
    • Лучший в своем классе показатель качества Figure of merit (FOM) =Rds(on) xEoss; Уменьшение Qg, C iss и C oss;
    • Корпус DPAK и лучшее в своем классе сопротивление сток-исток открытого канала 289 мОм;
    • Лучшее в своем классе напряжение затвора V(gs)th (пороговое напряжение затвора, при котором открывается канал сток-исток) 3 В и наименьшее его отклонение ± 0.5 В;
    • Встроенный стабилитрон для защиты от ESD;
    • Лучшее в своем классе качество и надежность;
    • Полностью оптимизированное портфолио.



    Средства разработки на основе транзисторов семейства 800V CoolMOS ™ P7

    Оценочная плата 45 Вт адаптера

    EVAL45W19VFLYBP7TOBO1 – оценочная плата представляет собой тестовую платформу для бюджетных зарядных устройств и адаптеров. В основе изделия - микросхема квазирезонансного (QR) обратноходового контроллера ICE2QS03G и транзистор IPA80R450P7 семейства 800V CoolMOS™ P7. Дизайн позволяет уменьшить коммутационные потери, повысить плотность мощности изделия и уменьшить его ЭМИ и уровень наведенных помех.

    Преимущества:
    • Низкая цена
    • Высокая эффективность

    Применение:
    • Зарядные устройства/Адаптеры
    • Импульсные источники питания



    Отличительные особенности:
    • Обратноходовая топология;
    • Входное напряжение: 90 В AC – 265 В AC;
    • Эффективность 91.0% при напряжении 230 В AC;
    • Эффективность 89.5% при напряжении 120 В AC;
    • Бюджетная однослойная PCB.

    Высокое качество продукции компании Infineon - прекрасный ответ требованиям современного рынка силовой электроники, а транзисторы MOSFET Infineon CoolMOSTM P7 - отличная основа для разработки и производства соответствующих изделий.

    Широкий спектр дискретных компонентов и отладочных средств Infineon на складах нашей компании, техническая поддержка на всех этапах проектирования и производства позволяют в кратчайшие сроки разработать и выпустить на рынок конкурентоспособные изделия, отвечающие самым высоким требованиям современного рынка.

    Прочитать в оригинале…
    Последний раз редактировалось Darya; 17-10-2017, 15:50.

Похожие темы

Тема Автор Раздел Последнее сообщение
2002—2021 «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Реклама · Участие в поиске · Инструменты · Блог · Аналитика · English version

  ExpoElectronica RADEL
Обработка...
X