IRF710PBF– это мощный n-канальный полевой МОП (MOSFET) транзистор, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Транзистор может управляться непосредственно интегральными микросхемами.


Силовые МОП-транзисторы третьего поколения IRF710PBF позволяют разработчику получить наилучшее сочетание быстрой коммутации, высокой надежности, низкого сопротивления включения и экономичности. Корпус TO-220AB оптимален для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеивания мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость форм-фактора TO-220AB способствуют его широкому признанию во всей отрасли.

Ключевые области применения
• Высокочастотные DC/DC-конверторы;
• Управление двигателем;
• Источники бесперебойного питания


Технические характеристики


• Максимальное напряжение сток-исток: 400 В;
• Максимальный ток сток-исток при 25 °С: 2 А;
• Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В;
• Сопротивление канала в открытом состоянии: 3,6 Ом;
• Максимальная рассеиваемая мощность: 36 Вт;
• Крутизна характеристики S: 1; • Пороговое напряжение на затворе: 2...4;
• Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C;
• Корпус: TO-220AB



Прочитать в оригинале…